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　　美(měi)光公司在华销售的产(chǎn)品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日(rì)前，网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办公室(shì)依法对美光公(gōng)司在华销售产品进行(xíng)了网络安(ān)全审(shěn)查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施(shī)供应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内关键(jiàn)信息基础设(shè)施的运营者应(yīng)停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行(xíng)网络安全(quán)审查，目的是(shì)防范产品网络安(ān)全(quán)问题危(wēi)害国家关键信息基础设施安全，是维(wéi)护国(guó)家(jiā)安全(quán)的(de)必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平(píng)对外开放，只(zhǐ)要遵守酒后想念一个人是真爱吗，为什么喝了酒会很想念一个人中国法(fǎ)律(lǜ)法规要求，欢(huān)迎各国(guó)企业、各类平(píng)台产品服(fú)务进入(rù)中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网(wǎng)信网发文称，为保障(zhàng)关键信(xìn)息基础设施(shī)供应链安全，防范(fàn)产品问(wèn)题(tí)隐患造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人(rén)民共(gòng)和(hé)国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络(luò)安全(酒后想念一个人是真爱吗，为什么喝了酒会很想念一个人quán)审查(chá)办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美(měi)光是(shì)美国(guó)的存储芯片(piàn)行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入来自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司(sī)披(pī)露过美(měi)光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供(gōng)应商，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一(yī)大、第二(èr)大和(hé)第(dì)三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西(xī)部数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合(hé)约，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性，巩固公司(sī)在下游(yóu)市场的供应优势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥(féi)长鑫(xīn)酒后想念一个人是真爱吗，为什么喝了酒会很想念一个人保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果(guǒ)美光在中国区销(xiāo)售受(shòu)到限制，或将导致下游客户转而(ér)采购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从(cóng)中受(shòu)益(yì)。存储器的生(shēng)产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转变使刻(kè)蚀(shí)和(hé)薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉积工艺(yì)步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能(néng)会更深的孔或(huò)者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入美(měi)国限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存(cún)储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收(shōu)入(rù)增长。

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