大家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美(měi)光(guāng)公司在华销(xiāo)售的产品未通过网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查

　　据网信(xìn)办消息，日(rì)前，网络安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)对美光公司在(zài)华销售(shòu)产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公司产品(pǐn)存在较严重网络(luò)安全问题隐(yǐn)患，对我国关(guān)键信(xìn)息基础设(shè)施供应链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安(ān)全审(shěn)查办公室依法作出不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规(guī)，我(wǒ)国内关键信息基础设施的(de)运(yùn)营(yíng)者应(yīng)停(tíng)止采购美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行(xíng)网络(luò)安全(quán)审(shěn)查(chá)，目的是防范(fàn)产品网(wǎng)络(luò)安全问(wèn)题(tí)危害(hài)国家关键(jiàn)信(xìn)息基础设施安全(quán)，是维护(hù)国家安全的必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进(jìn)高水平对外(wài)开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各(gè)类平台产品服务(wù)进(jìn)入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息基础设施供(gōng)应链(liàn)安全(quán)，防范产品问题隐(yǐn)患(huàn)造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络(luò)安(ān)全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查(chá)办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美(měi)国的存(cún)储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收(shōu)入从(cóng)此前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储等公司披(pī)露过美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不(bù)是主要(yào)大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一(yī)大存储晶(jīng)圆供应商，采购(gòu)约31亿元(yu100厘米等于多少分米，100厘米等于多少分米多少米án)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大(dà)供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年(nián)报(bào)显示，江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签(qiān)署了长期合约(yuē)，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的(de)供应(yīng)优势，公司也与国内国(guó)产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就分析，如果美光在中国区销售受到(dào)限制(zhì)，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力(lì)士(shì)，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄(báo)膜沉积工艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积(jī)设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江(jiāng100厘米等于多少分米，100厘米等于多少分米多少米)存储被加(jiā)入美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备(bèi)国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及存储业(yè)务占比较高的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清(qīng)洗）等收(shōu)入增长。

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